Den enklaste metoden för att producera kiselkarbid innebär att smälta kiseldioxidsand och kol, såsom kol, vid höga temperaturer - upp till 2500 grader Celsius. Mörkare, vanligare versioner av kiselkarbid innehåller ofta järn- och kolföroreningar, men rena Sic -kristaller är färglösa och bildas när kiselkarbid sublimeras vid 2 700 grader Celsius. Efter uppvärmning avsätts dessa kristaller på grafit vid en lägre temperatur i en process som kallas den ensamma metoden.
Lely Method: I denna process upphettas en granit degel till en mycket hög temperatur, vanligtvis genom induktion, för att sublimera kiselkarbidpulvret. Den lägre temperaturgrafitstången är i en gasformig blandning, vilket gör att den rena kiselkarbiden kan fälla ut och bilda kristaller.
Kemisk ångavsättning: Alternativt odlar tillverkare kubiksIC med användning av kemisk ångavsättning, som vanligtvis används i kolbaserade syntesprocesser och används i halvledarindustrin. I denna metod införs en speciell kemisk blandning av gaser i en vakuummiljö och kombineras innan de deponeras på ett underlag.
Båda metoderna för att producera kiselkarbidskivor kräver enorma mängder energi, utrustning och kunskap för att lyckas.
